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SCTH40N120G2V7AG
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汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、33 A、75 mOhm（典型值，TJ = 25 C），H2PAK-7封装
SCTH40N120G2V7AG产品信息：
描述
这种碳化硅功率MOSFET器件是利用先进的和创新的2 (nd)产生SiC MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和良好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
所有功能
AEC-Q101合格
非常高的工作结温度能力(T(J) = 175°C)
非常fa和robu本征体二极管
极低的栅电荷和输入电容
SCTH40N120G2V7AG数据手册：
scth40n120g2v7ag.pdf
相关型号：
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