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SCTL90N65G2V
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碳化硅功率MOSFET 650 V, 18 mOhm类型。， 40 A在PowerFLAT 8x8高压封装
SCTL90N65G2V产品信息：
描述
该碳化硅功率MOSFET晶体管采用 先进、创新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技术开发而成。该器件单位面积导通电阻极低且具有良好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
所有功能
稳定的超快速本体二极管
低电容
源极感应引脚可提高效率
SCTL90N65G2V数据手册：
sctl90n65g2v.pdf
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