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SCTW100N120G2AG
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功率MOSFET 1200 V, 75 A, 30 mOhm(典型。TJ = 25c)
SCTW100N120G2AG产品信息：
描述
这种碳化硅功率MOSFET器件是利用先进的和创新的2 (nd)产生SiC MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和良好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
所有功能
AEC-Q101合格
高速切换性能
非常fa和robu本征体二极管
低的功放
非常高的工作结温度能力(T(J) = 200°C)
SCTW100N120G2AG数据手册：
sctw100n120g2ag.pdf
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