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SCTW100N65G2AG
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汽车级碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、20 mOhm（典型值，TJ = 25°C），HiP247封装
SCTW100N65G2AG产品信息：
描述
该碳化硅功率MOSFET晶体管采用 先进、创新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技术开发而成。器件具有每区域超低的导通状态电阻和卓越的开关性能。R (DS(on)) 和开关损耗的变化受工作结温的影响都非常小。
所有功能
专为汽车应用而设计
导通电阻随温度变化敏感温度
稳定的超快速本体二极管
适应非常高的工作温度 (T(J) = 200 °C)
低电容
SCTW100N65G2AG数据手册：
sctw100n65g2ag.pdf
相关型号：
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