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SCTW35N65G2V
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碳化硅功率MOSFET，650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装
SCTW35N65G2V产品信息：
描述
这种碳化硅功率MOSFET器件是利用先进的和创新的2 (nd)产生SiC MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和良好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
所有功能
非常fa和robu本征体二极管
极低的栅电荷和输入电容
非常高的工作结温度能力(T(J) = 200°C)
SCTW35N65G2V数据手册：
sctw35n65g2v.pdf
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