描述

SDM02M30DCP3是一个30V双共阴极肖特基势垒，为低电容和低漏电流进行了优化。它被安置在一个紧凑的模具尺寸封装，只占用0.6毫米2板空间，非常低的轮廓。低热阻使设计师能够在减少电路板空间的同时提高效率。它非常适合在可移植的应用程序中使用。

应用程序

• 阻塞二极管
• 反向保护二极管
• 增加二极管

特性

• 占地面积0.6mm2，离板外形0.275mm
• 低正向电压-最小化功耗损失
• 低泄漏-最大限度地提高电池功率
• 低电容，软，快速交换能力
• 完全无铅,完全符合RoHS标准(注1 &2）
• 无卤素和锑。“绿色”装置(注3)
• 对于需要特定变更控制的汽车应用(即符合AEC-Q100/101/200, PPAP能力，并在IATF 16949认证设施制造的零部件)，请联系我们或您的当地代表。