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SI4435DY

SI4435DY产品信息:

-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

优势

  • 符合 RoHS
  • 具有业内先进的品质
  • P 通道MOSFET

SI4435DY数据手册:

SI4435DY引脚功能、电路图:

Si4435DY

【用 途】 增强模式场效应晶体管【性能 参数】 采用SO小尺寸8脚封装。晶体管极性:P。漏源电压VDS典型值:-30V,栅极-源极电压VGS:±20V,漏极连续电流:-8.8A,功率耗散:2.5W,下降时间:25ns,上升时间:13.5ns,正向跨导gFS(最大值/最小值):24S。工作温度为-55℃-+1

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