-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
优势
【用 途】 增强模式场效应晶体管【性能 参数】 采用SO小尺寸8脚封装。晶体管极性:P。漏源电压VDS典型值:-30V,栅极-源极电压VGS:±20V,漏极连续电流:-8.8A,功率耗散:2.5W,下降时间:25ns,上升时间:13.5ns,正向跨导gFS(最大值/最小值):24S。工作温度为-55℃-+1