该产品基于单层存储单元(SLC)NAND闪存，并且内嵌错误纠正功能(ECC)。BENAND产品正式批量生产的时间为2012年3月。BENAND在东芝公司最先进的32纳米工艺的SLC NAND闪存中，嵌入了一个具有4位/512字节纠错能力的ECC。BENAND具有与通用的SLC NAND闪存兼容的封装和引脚定义，这一点保证其在现有产品中可以轻松地与SLC NAND

什么是SLC？ SLC英文全称(Single Level Cell————SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取

SATADOM i-100 容量 SLC

东芝宣布推出43nm单层存储单元（SLC）的NAND闪存，产品容量从512Mb到64Gb，共有16个系列。SLC芯片读写次数多，且读写速度快，可靠性高。东芝开发新型SLC产品是为了满足不断变化的市场应用需求，改

Spansion公司日前宣布其首个单层单元(SLC)系列Spansion® NAND闪存产品开始出样。这一最新SLC NAND闪存产品采用4x nm浮栅技术，专门用于汽车、消费及网络应用的数据存储需求。Spansion SLC NAND将分为3.0V和1.8V两个系列，存储容量在1 Gb到8 Gb之间，该产品性能更为出色、温度范围更广、享有长期技术支持并且符合严格的可靠性要求，例如1位错

在芯片方面，主要有SLC、MLC、TLC三种，SLC芯片优盘在速度上有明显的优势，充分显示了SLC芯片的强大性能。SLC芯片在载入速度以及数据传输速度上有着强大的优势

恒忆NAND SLC极大型页面产品系列旨在需要单芯片代码和数据的非易失性存储器简洁性的一系列应用程序。NAND SLC 极大型页面产品系列具有极高数据吞吐量，快速写入速度及低功耗。这些特性为NAND SLC极大型页面闪存应用程序提高了系统性能，属于创新突破：

NANDFlash又呈身娇体贵状态，其报价开始动起来，据台湾媒体报道，MLC(Multi-LevelCell)型芯片因三星电子(SamsungElectronics)和苹果(Apple)第2季合约官价是6.5美元，SLC目前整个NANDFlash产业已由SLC转进MLC制程，东芝、三星、海力士等主流制程都是MLC，于是SLC制程芯

嵌入式市场闪存解决方案的创新领军者Spansion公司于昨日宣布其首个单层单元(SLC)系列Spansion® NAND闪存产品开始出样。这一最新SLC NAND闪存产品采用4x nm浮栅技术，专门用于汽车、消费及网络应用的数据存储需求。Spansion SLC NAND将分为3.0V和1.8V两个系列，存储容量在1 Gb到8 Gb之间，该产品性能更为出色、温度范围更广、

calex mfg公司推出新型slc一瓦单输出及双输出系列dc/dc转换器。这些slc转换器采用紧凑的0.77"x0.40"x0.27"单列直插封装，可为5v数字系统提供非标准输出电压及隔离。单输出及双输出slc