这些20位透明d型锁存器具有非反相三态输出，专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适合于实现缓冲区寄存器、I/O端口、双向总线驱动程序和工作寄存器。

ABT162841设备可以用作两个10位锁存器或一个20位锁存器。当锁存使能(1LE或2LE)输入是高的，相应的10位锁存器的Q输出跟随数据(D)输入。当LE值较低时，Q输出被锁存在D输入设置的电平上。

缓冲输出使能(1OE\或2OE\)输入可用于将相应的10位锁存器的输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻抗状态。在高阻抗状态下，输出既不负载也不驱动母线。

输出，被设计为下沉到12毫安，包括等效的25-串联电阻减少过冲和欠冲。

这些设备完全指定热插入应用使用I(关)和上电3状态。I(关)电路禁止输出，防止损坏的电流回流通过设备时，他们是断电。上电三态电路在上电和下电时将输出置于高阻抗状态，防止驱动器冲突。

为了保证上电或下电时的高阻抗状态，OE\通过上拉电阻连接到V(CC)上;电阻器的最小值由驱动器的电流下沉能力决定。

OE\不影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻抗状态时，可以保留旧数据或输入新数据。