GTL2010提供了10个NMOS通晶体管(Sn和Dn)与一个公共门(G(REF))和一个参考晶体管(S(REF)和D(REF))。开关的低ON-state电阻允许以最小的传播延迟进行连接。不需要方向控制引脚，设备允许双向电压转换任何电压(1v到5v)到任何电压(1v到5v)。

当“Sn”或“Dn”端口为“LOW”时，钳位处于“ON”状态，“Sn”和“Dn”端口之间有低阻连接。假设Dn端口上的电压较高，当Dn端口为HIGH时，Sn端口上的电压限制为参考晶体管(S(REF))设置的电压。“Sn”为“HIGH”时，“Dn”被上拉电阻拉至“V(CC)”。

GTL2010中的所有晶体管都具有相同的电气特性，并且在电压或传播延迟方面从一个输出到另一个输出有最小的偏差。这提供了优于离散晶体管电压转换解决方案的匹配晶体管的制造不是对称的。由于所有晶体管都是相同的，参考晶体管(S(REF)/D(REF))可以位于其他10个匹配的Sn/Dn晶体管中的任何一个上，允许更容易的板布局。集成ESD电路的转换晶体管提供了优良的ESD保护。