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SN74S225

16 x 5异步FIFO存储器

SN74S225产品信息:

这种80位有源元件存储器是一个单片肖特基箝位晶体管-晶体管逻辑(STTL)阵列,由5位16字组成。使用SN74S225的存储系统可以很容易地扩展为48个单词或10位的倍数,如图3所示。3态输出由单个输出使能(OE\)输入控制,使总线连接和多路复用容易。

先进先出(FIFO)存储器是一种存储设备,它允许数据以独立的数据速率写入和读取数组。这种先进先出是设计来处理数据速率从dc到10MHz的位并行格式,逐字逐句。

读取或写入是独立完成的,利用独立的异步数据时钟。数据可以在load-clock (CLKA, CLKB)输入从低到高的转换上写入阵列。在卸载时钟(UNCK IN)输入(通常是高的)的低到高的过渡上,可以从阵列中读取数据。将数据写入FIFO可以通过以下两种方式之一完成:

  • 在不需要门控时钟控制的应用中,最好的结果是将时钟输入应用到其中一个时钟,同时将另一个时钟输入系高。
  • 在需要门控时钟的应用程序中,负载时钟(门控)必须是高的FIFO负载下一个时钟脉冲。

CLKA和CLKB可以互换地用于时钟门控制或时钟输入。

SN74S225的状态由3个输出提供。输入就绪(IR)输出监视最后一个单词位置的状态,并表示内存已满。当内存可用来接收任何数据时,此输出是高的。卸载时钟(UNCK OUT)输出还监视最后一个单词的位置。当位置空闲时,该输出产生一个低逻辑电平脉冲(与内部时钟脉冲同步)。当第一个单词位置包含有效数据且UNCK IN高时,第三个状态输出,即输出就绪(OR)是高的。当UNCK IN走低时,OR将走低,直到新的有效数据在第一个字位置。第一个单词location定义为向输出提供数据的位置。

数据输出相对于数据输入是非倒置的,是三态的,有一个共同的控制输入(OE\)。当OE低时,使能数据输出作为图腾柱输出。一个高逻辑水平迫使每个数据输出到一个高阻抗状态,而所有其他输入和输出保持活跃。clear (CLR\)输入通过清除控制逻辑并将OR设置为低活跃脉冲的高到低转换的低逻辑电平来使存储在内存阵列中的所有数据失效。

SN74S225的工作温度为0°C ~ 70°C。

SN74S225数据手册:

SN74S225引脚功能、电路图:

SN74S225

【用 途】 【性能 参数】【互换 兼容】

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