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SN74SSTUB32864

具有SSTL_18输入和输出的410 mhz 25位可配置寄存缓冲器

SN74SSTUB32864产品信息:

这种25位1:1或14位1:2的可配置注册缓冲区设计用于1.7 v到1.9 v VCC操作。在1:1的引脚配置中,每条内存只需要一台设备驱动9个SDRAM负载。在1:2引脚配置中,每个内存需要两个设备来驱动18个SDRAM负载。

所有输入都是SSTL_18,除了复位(重置)和控制(Cn)输入,这是LVCMOS。所有输出都是边缘控制电路优化的无端内存负载,并满足SSTL_18规格。

SN74SSTUB32864从差分时钟(CLK和CLK). 在CLK上升和CLK下降的交叉点登记数据。

C0输入控制从寄存器a配置(低)到寄存器b配置(高)1:2引脚配置的引脚配置。C1输入控制引脚配置从25位1:1(低)到14位1:2(高)。正常运行时,C0和C1不应切换。它们应该硬连接到一个有效的低电平或高电平,以将寄存器配置为所需的模式。在25位1:1引脚配置中,A6、D6和H6端子是低驱动的,是不使用(DNU)引脚。

在DDR2 RDIMM应用中,重置被指定为完全异步的CLK和CLK. 因此,不能保证两者之间的时序关系。当进入复位时,寄存器被清除,相对于关闭差分输入接收器所需的时间,数据输出被快速驱动到低。然而,当复位结束后,相对于使差分输入接收器生效所需的时间,寄存器迅速激活。只要数据输入低,且时钟在从低到高的过渡期间是稳定的重置在输入接收器完全启用之前,SN74SSTUB32864的设计确保输出保持低电平,从而确保输出不会出现小故障。

为了确保在提供稳定的时钟之前从寄存器获得已定义的输出,重置在通电期间必须保持在低状态。

设备支持低功耗待机运行。当重置是低,差分输入接收器被禁用,和非驱动(浮动)数据,时钟和参考电压(V(REF))输入被允许。此外,当重置是低电平,所有寄存器复位,所有输出强制低电平,除了QERR. 的LVCMOS重置和Cn输入必须始终保持在有效的逻辑高或低水平。

该设备还支持低功耗有源运行,通过监控两个系统芯片选择(DCS企业社会责任)输入,并对变化状态的Qn输出进行门控DCS企业社会责任输入是很高的。当DCS或CSR输入低时,Qn输出正常。的重置的优先级DCS企业社会责任控制和,当驱动低,迫使Qn输出低。如果DCS控件功能不理想,则企业社会责任输入可以硬接线到地,在这种情况下设置时间要求为DCS与其他D数据输入相同。以控制低功耗模式DCS只有,企业社会责任输入应通过上拉电阻被拉至V(CC)。

两个V(REF)引脚(A3和T3)内部连接在一起大约150. 然而,需要连接两个V(REF)引脚中的一个到外部V(REF)电源。一个未使用的V(REF)引脚应该端接V(REF)耦合电容。

SN74SSTUB32864数据手册:

SN74SSTUB32864引脚功能、电路图:

SN74SSTUB32864:可配置寄存缓冲器

SN74SSTUB32864:可配置寄存缓冲器;TI Widebus+产品系列中的新成员;优化DDR2 DIMM PCB布局的引脚;可配置为25位1:1或14位1:2 寄存缓冲器;芯片选择输入对数据输出进行栅极控制

TI推出25位可配置寄存缓冲器SN74SSTUB32864

SN74SSTUB32864利用1个差分时钟(CLK与CLK)工作,并将在CLK上升与下降

相关型号:

SS4400ZX SS400X SA10QA06 SA10QA04 SA10QA03
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