摘要：介绍一种用N+1个I/O端口实现N×N矩阵式键盘的一般方法，并用该方法设计一个5×5的矩阵式键盘作为例子，给出软件编制框图并对该方法进行探讨。 关键词：

dviI接口定义图(24针)

1．额定剩余动作电流I△n的选择 单机配用时I△n>4IX; 分支路配用时I△n>2.5IX,同时还要满足最大一台电动机运行时I△n>4IX(此IX按电动机运行时的值取); 主干线或全网配用时I△n>2.IX.以上各式中:I△n-—额定剩余动作电流mA; IX —线路或电动机实测或是经验值的泄漏电流mA;. 2. 额定剩余不动作电流I△no的值: I△no=1/2 I△n

　　磁敏二极管的基本结构及工作原理　　磁敏二极管的结构如图24-2所示。它是平面P＋-i-N＋型结构的二极管。在高纯度半导体锗的两端用合金法做成高掺杂P型区和N型区。i区是高纯空间电荷区，该区的长度远远大于载流子扩散的长度。在i区的一个侧面上，用扩散、研磨或扩散杂质等方法制成高复合区r，在r区域内载流子的复合速率较大。图：磁敏二极管的结构

　　磁敏二极管的基本结构及工作原理　　磁敏二极管的结构如图24-2所示。它是平面P＋-i-N＋型结构的二极管。在高纯度半导体锗的两端用合金法做成高掺杂P型区和N型区。i区是高纯空间电荷区，该区的长度远远大于载流子扩散的长度。在i区的一个侧面上，用扩散、研磨或扩散杂质等方法制成高复合区r，在r区域内载流子的复合速率较大。图：磁敏二极管的结构

【用　途】 D类扬声器放大器【性能 参数】　　采用24引脚薄型QFN-EP封装，工作于4.5V至14V电源，10W输出(8Ω，PVDD=14V,THD+N=10%)，扩谱调制，采用铁氧体磁珠滤波器，符合EN55022BEMC规范，内置64级音量控制(通过I?C总线或模拟控制实现)，低至0.08%的THD+N(RL=8Ω,POUT=6

【用　途】 D类扬声器放大器【性能 参数】　　采用24引脚薄型QFN-EP封装，工作于4.5V至14V电源，10W输出(8Ω，PVDD=14V,THD+N=10%)，扩谱调制，采用铁氧体磁珠滤波器，符合EN55022BEMC规范，内置64级音量控制(通过I?C总线或模拟控制实现)，低至0.08%的THD+N(RL=8Ω,POUT=6

双24针dvii接口

十一、copy程序的优化1、源代码： Word16 i; for (i = 0; i < L; i++)&n

电流I，电压V，电阻R，功率W，频率FW=I的平方乘以RV=IRW=V的平方除以R电流=电压/电阻功率=电压*电流*时间电流I，电压V，电阻R，功率W，频率FW=I的平方乘以RV=IR电流I，电压V，电阻R，功率W，频率FW=I的平方乘以RV=IRW=V的平方除以R电压V（伏特），电阻R（欧姆），电流强度I（安培），功率N（瓦特）之间的关系是：V=IR，N=IV =I*I*R,或也可变形为:I=V