摘要：介绍一种用N+1个I/O端口实现N×N矩阵式键盘的一般方法，并用该方法设计一个5×5的矩阵式键盘作为例子，给出软件编制框图并对该方法进行探讨。 关键词：

将全球最大智能支付卡生产商聚集到一起的智能支付协会（SPA）已经完成了它的2007年内部市场追踪。此次追踪的目的是为了对智能支付卡市场的现状及趋势有一个更好的了解。 　　主要发现： 　　 　　 ——SPA会员2007年共交付超过4.2亿张智能支付卡，同比增长24% 　　 ——双界面卡和纯非接触卡双双超过市场预期，同比增长64% 　　 ——美洲为发展最快地区，同比增长45%

dviI接口定义图(24针)

1．额定剩余动作电流I△n的选择 单机配用时I△n>4IX; 分支路配用时I△n>2.5IX,同时还要满足最大一台电动机运行时I△n>4IX(此IX按电动机运行时的值取); 主干线或全网配用时I△n>2.IX.以上各式中:I△n-—额定剩余动作电流mA; IX —线路或电动机实测或是经验值的泄漏电流mA;. 2. 额定剩余不动作电流I△no的值: I△no=1/2 I△n

　　磁敏二极管的基本结构及工作原理　　磁敏二极管的结构如图24-2所示。它是平面P＋-i-N＋型结构的二极管。在高纯度半导体锗的两端用合金法做成高掺杂P型区和N型区。i区是高纯空间电荷区，该区的长度远远大于载流子扩散的长度。在i区的一个侧面上，用扩散、研磨或扩散杂质等方法制成高复合区r，在r区域内载流子的复合速率较大。图：磁敏二极管的结构

　　磁敏二极管的基本结构及工作原理　　磁敏二极管的结构如图24-2所示。它是平面P＋-i-N＋型结构的二极管。在高纯度半导体锗的两端用合金法做成高掺杂P型区和N型区。i区是高纯空间电荷区，该区的长度远远大于载流子扩散的长度。在i区的一个侧面上，用扩散、研磨或扩散杂质等方法制成高复合区r，在r区域内载流子的复合速率较大。图：磁敏二极管的结构

【用　途】 D类扬声器放大器【性能 参数】　　采用24引脚薄型QFN-EP封装，工作于4.5V至14V电源，10W输出(8Ω，PVDD=14V,THD+N=10%)，扩谱调制，采用铁氧体磁珠滤波器，符合EN55022BEMC规范，内置64级音量控制(通过I?C总线或模拟控制实现)，低至0.08%的THD+N(RL=8Ω,POUT=6

【用　途】 D类扬声器放大器【性能 参数】　　采用24引脚薄型QFN-EP封装，工作于4.5V至14V电源，10W输出(8Ω，PVDD=14V,THD+N=10%)，扩谱调制，采用铁氧体磁珠滤波器，符合EN55022BEMC规范，内置64级音量控制(通过I?C总线或模拟控制实现)，低至0.08%的THD+N(RL=8Ω,POUT=6

双24针dvii接口

十一、copy程序的优化1、源代码： Word16 i; for (i = 0; i < L; i++)&n