华强商城 被动器件(电容/电阻/电感) BOM配单 原厂专区 PCB制板 积分兑换
0
首页>IC索引

ST18-5-55-22-90

SolderSleeve盾结束符

ST18-5-55-22-90产品信息:

ST18-5-55-22-90数据手册:

ST18-5-55-22-90引脚功能、电路图:

福禄克推出ST18红外测温仪

福禄克日前推出新型的ST18红外测温仪,这是一款坚固耐用、工厂设备日常型检测和维护的测试工具。针对工厂设备,包括电气仪表设备、机械及传动设备等日常维护检测设计的雷泰ST18,可准确、安全和快速地发现设备故障隐患,事实已经证明采用非接触红外技术的测温仪可延长设备的使用寿命,保证生产的正常运行,防止意外停机和生产耗损所引起的额外支出ST18红外测

GFHZ-2-90

【用 途】 微波电路 【性能 参数】功率分配合成器,频率范围=55~90MHz,相位=90度,阻抗=50Ω,隔离度=20dB,插入损耗=1dB,相位偏置=5度,

ST18 红外测温仪---工厂日常维护必备工具

福禄克日前推出新型的ST18红外测温仪,这是一款坚固耐用、工厂设备日常型检测和维护的测试工具。针对工厂设备,包括电气仪表设备、机械及传动设备等日常维护检测设计的雷泰ST18,可准确、安全和快速地发现设备故障隐患,事实已经证

MMSZ4V3T1G的技术参数

产品型号:mmsz4v3t1g齐纳击穿电压vz最小值(v):4.090齐纳击穿电压vz典型值(v):4.300齐纳击穿电压vz最大值(v):4.520@izt(ma):5齐纳阻抗zzt(ω):90最大功率pmax(w):0.500芯片标识:u2封装/温度(℃):sod123/-55~150价格/1片(套):¥.40

MMSZ22T1G的技术参数

产品型号:mmsz22t1g齐纳击穿电压vz最小值(v):20.900齐纳击穿电压vz典型值(v):22齐纳击穿电压vz最大值(v):23.100@izt(ma):5齐纳阻抗zzt(ω):55最大功率pmax

台积电将于5月提供55纳米原型验证服务

台积电将在5月开始在原型验证方面采用55纳米工艺,初期计划每两个月提供一次。台积电表示,55纳米制程比其包括I/O和模拟电路的成熟的65纳米技术线性缩小了90%,从而将“比65纳米制程大幅节省成本,同时提供相同的速度,并把功耗降低10~20%。”在第一阶段,55纳米逻辑系统将在台积电所谓的“虛拟特快车”(CyberShuttle)项目中提供,包括通用(GP)和消费(GC)平台。55GP将于5月开始初步生产,随后在今年稍晚的时候生产55GC。

CD4070BE的技术参数

产品型号:cd4070be封装/温度(℃):pdip-14/-55~125描述:四异或门价格/1片(套):¥.90

LG1、LG2型固定电感器

;;; LG1、LG2型固定电感器采用高质量磁心绕制,用环氧树脂包封,803PA20 ;;具有体积小、重量轻等特点可降低损耗,提高Q值,可使用的环境温度范围为- 55℃~+85℃,广泛应用于电视机、收音机以及电子仪器仪表中它们的外形如图5-22所示,主要特性参数见表5-3。;;;;;;;;;;;;;;;;;; ;;;;;;;;; ;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;

台积电蓄势待发,5月即将开始提供55纳米制程的原型验证服务

台湾地区最大的晶圆代工厂商台积电近日宣布,将在5月开始在原型验证方面采用55纳米工艺,初期计划每两个月提供一次。台积电表示,55纳米制程比其包括I/O和模拟电路的成熟的65纳米技术线性缩小了90%,从而将比65纳米制程大幅节省成本,同时提供相同的速度,并把功耗降低10-20%。在第一阶段,55纳米逻辑系统将在台积电所谓的“虛拟特快车”(CyberShuttle)项目中提供,包括通用(GP)和消费(GC)平台。55GP将于5月开始初步生产,随后在今

相关型号:

SS4400ZX SS400X SA10QA06 SA10QA04 SA10QA03
SQ25-1950D6SUA1 SQ25-1745K6SUA2 SQ25-1745K6SUA1 SD16-0782R8UUB1 SD25-0780R9UUA1
SD25-1962R9UUA1 SD25-2155R9UUA1 SD25-0942R9UUA1 SD25-2655R9UUA1 SD25-1842R9UUA1
SD25-2140R9UUA1 SD18-0782T8UUA1 SD16-0782R8UUA1 SD16-0847R8UUA1 SD16-2535R8UUA1
按首字母检索