产品型号:NTLTD7900ZR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26最大漏极电流Id(on)(A):9通道极性:N沟道封装/温度(℃):MICRO-8/-55 ~150描述:20 V, 9A功率MOSFET价格/1片(套):¥4.00欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan
看看是可以的[ 本帖最后由 flyboy1980 于 2006-9-26 16:28 编辑 ]802[1].16f-2005.rar(2006-09-26 16:25:27, Size: 833 KB,Downloads: 64)P802[1].16-2004_Cor1-d5.rar(2006-09-26 16:25:27, Size: 1.89 MB, Downloads: 42)802
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加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2010 年 9 月 26 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一款系统级封装的降压-升压型 DC/DC 微型模块 (uModule®) LTM4609MP,该器件在 -55ºC 至 125ºC 的宽温度范围内有保证并经过测试。
【用 途】 行输出变压器【性能 参数】 1-2-3 4-6-9-10 1 行管 2 +140 3 +180 4 地 5 空 6 +26 7 空 8 ABL 9 灯丝 10AFC 【互换 兼容】H2598K、SF2111、H2535K、H2599KB、G2
MENU1 V.SIZE 55 58 107 101 V.POS 33 21 22 21 V.LINE 15 13 18 16 V.SC 4 3 2 3 H.PHASE 8 11 10 8 H.BLK6 3 4 6 PATTERN 0 0 0 0 OSD-HPOS 16 28 22 26 MUTE2 V.KLL 0 0 0 0 R..B 177 188 1
产品型号:1smf16bt3峰值反向工作电压vrwm(v):16雪崩电压vbrmin(v):17.600it(ma):1最大反向电压(钳位电压)vc(v):26最大反向浪涌电流ipp(a):-最大反向漏电流ir(ua):1芯片标识(mark):-封装/温度(℃):sod-123fl/-55~150价格/1片(套):¥1.66
据韩国手机厂商称,由于韩国政府采取了暂时禁止移动运营商增加新的手机用户的措施,韩国国内市场9月份的手机销售量比8月份减少了26%。据韩国手机厂商公布的数据显示,9月份韩国市场的手机销售量从8月份的118万部减少到了87.7万部。韩国最大的无线运营商SK电信的临时禁令在9月28日才解除。全球第
产品型号:1smf16bt1峰值反向工作电压vrwm(v):16雪崩电压vbrmin(v):17.600it(ma):1最大反向电压(钳位电压)vc(v):26最大反向浪涌电流ipp(a):-最大反向漏电流ir(ua):1芯片标识(mark):-封装/温度(℃):sod-123fl/-55~150价格/1片(套):¥.90
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