【用　途】 微波电路 【性能 参数】功率分配合成器,频率范围=55～90MHz,相位=90度,阻抗=50Ω,隔离度=20dB,插入损耗=1dB,相位偏置=5度,

【用　途】 彩电开关电源变压器【性能 参数】1-2-5 3-4-7-8绕组形式：NP1 φ0.45 79.5TNP2 φ0.45 84.5TNF φ0.45 11TNL1 &phi

产品型号:mmbv809lt1g最小反向电压vr(v):20最大二极管电容ct@v(max)( pf):6.100最大二极管电容ct@vv:2正向电压vf最大值(v):－最大反向漏电流ir (max)(na):50最大反向漏电流ir对应的电压vr(v):20类型:单压变电容二极管封装/温度(℃):3sot-23/-55~125价格/1片(套):￥.90

产品型号:MMBV809LT1G最小反向电压VR(V):20最大二极管电容CT@V(Max)( pF):6.100最大二极管电容CT@VV:2正向电压VF最大值(V):－最大反向漏电流IR (Max)(nA):50最大反向漏电流IR对应的电压VR(V):20类型:单压变电容二极管封装/温度(℃):3SOT-23/-55~125价格/1片(套):￥.90欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录

型 号 YWX—010 YWX—025 YWX—075 YWX—100 YWX—200 试验室尺寸(cm) 50×50×40 55×90×60 75×110×60 100×130×60 100×200×80 技术参数 温 度 范 围 RT+10～55℃ 温度均匀度 ≤±2℃ 温度波动度 ≤±0.5℃ 盐雾沉降率 1～2ml/8

　　注：　　　　1．同型号管外形不同，MT管最大电流应较表列值减10mA，最小电流不变；　　　　2．表列值使用环境温度-55℃～+90℃。

产品型号:NTTD4401FR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):3.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):SC-70/-55 ~150描述:-20 V, -3.3 A双功率MOSFET价格/1片(套):￥3.30欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan

产品型号:NTGS3441T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):2.350通道极性:P沟道封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150描述:1 A, 20 V功率MOSFET价格/1片(套):￥1.90欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan

产品型号:NTTS2P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):3.250通道极性:P沟道封装/温度(℃):Micro8/-55 ~150描述:-2.4 A, -20 V 双功率MOSFET价格/1片(套):￥3.00欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan

据Digitimes网站报道，晶圆代工大厂台积电27日正式宣布，55纳米半世代工艺提前约一个季度进入量产，从2007年5月起，每隔2个月开启55纳米工艺CyberShuttle服务，提供多家客户量产服务台积电表示，此一制程由65纳米制程直接微缩90％，包括I/O及逻辑电路等，为客户提供成本显著降低的竞争优势，同时在相同运作速度下能够节省耗电量达10％至20％。客户仅需微调现有的65纳米工艺技术