产品型号:NTP90N02G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5.800最大漏极电流Id(on)(A):90通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220/-55~150描述:90 A, 24 V功率MOSFET价格/1片(套):￥6.60欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan

【用　途】 微波电路 【性能 参数】功率分配合成器,频率范围=55～90MHz,相位=90度,阻抗=50Ω,隔离度=20dB,插入损耗=1dB,相位偏置=5度,

【用　途】 彩电开关电源变压器【性能 参数】1-2-5 3-4-7-8绕组形式：NP1 φ0.45 79.5TNP2 φ0.45 84.5TNF φ0.45 11TNL1 &phi

法兰制作标准　　美标系列 American Standard Series标准号通径范围压力等级 ANSI B 16.5(88)1/2"-24" Class 150、300、600、900、1500、2500 ANSI B 16.47(90)26"-60" Class 150、300、600、900 ASME B 16.5(96)1/2"-24" Class 150、300、600、900、1500、2500 ISO7005-1(92)1/2"-24" PN2.0 5.0 11.0 15.0 26.0 42.0 BS4504-3.1(89)1/2"-24" Class 150、300、600、900、1500

1月24日上午消息，华为今日在京召开5G发布会。华为发布业内首款面向5G基站的核心芯片“天罡”，这款芯片的尺寸缩小55%，重量减小23%，支持超宽频谱，可以支持200兆频宽，可以让全球90%的站...

型 号 YWX—010 YWX—025 YWX—075 YWX—100 YWX—200 试验室尺寸(cm) 50×50×40 55×90×60 75×110×60 100×130×60 100×200×80 技术参数 温 度 范 围 RT+10～55℃ 温度均匀度 ≤±2℃ 温度波动度 ≤±0.5℃ 盐雾沉降率 1～2ml/8

　　注：　　　　1．同型号管外形不同，MT管最大电流应较表列值减10mA，最小电流不变；　　　　2．表列值使用环境温度-55℃～+90℃。

产品型号:NTB90N02源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5最大漏极电流Id(on)(A):90通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~150描述

【用　途】 8位微控制器 【性能 参数】双列24脚封装,电源电压=2～5.5V,停止状态电流=1.2～10uA,工作温度=-20～50℃,储存温度=-55～125℃。

【用　途】 8位微控制器 【性能 参数】双列24脚封装,电源电压=2～5.5V,停止状态电流=1.2～10uA,工作温度=-20～50℃,储存温度=-55～125℃。