产品型号:NTTD4401FR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):3.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):SC-70/-55 ~150描述:-20 V, -3.3 A双功率MOSFET价格/1片(套):￥3.30欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan

产品型号:NTGS3441T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):2.350通道极性:P沟道封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150描述:1 A, 20 V功率MOSFET价格/1片(套):￥1.90欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan

产品型号:NTTS2P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):3.250通道极性:P沟道封装/温度(℃):Micro8/-55 ~150描述:-2.4 A, -20 V 双功率MOSFET价格/1片(套):￥3.00欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan

产品型号:mmbv809lt1g最小反向电压vr(v):20最大二极管电容ct@v(max)( pf):6.100最大二极管电容ct@vv:2正向电压vf最大值(v):－最大反向漏电流ir (max)(na):50最大反向漏电流ir对应的电压vr(v):20类型:单压变电容二极管封装/温度(℃):3sot-23/-55~125价格/1片(套):￥.90

2.额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、

产品型号:MMDF3N02HDR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):3.800通道极性:N/N沟道封装/温度(℃):SO-8/-55~150描述:3A,20V,SO-8,N沟道功率双MOSFET价格/1片(套):￥6.20欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan

产品型号:NTGS3441T1源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P沟道封装/温度(℃):6TSOP/-55~150

产品型号:MMBV809LT1G最小反向电压VR(V):20最大二极管电容CT@V(Max)( pF):6.100最大二极管电容CT@VV:2正向电压VF最大值(V):－最大反向漏电流IR (Max)(nA):50最大反向漏电流IR对应的电压VR(V):20类型:单压变电容二极管封装/温度(℃):3SOT-23/-55~125价格/1片(套):￥.90欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录

产品型号:cd4070be封装/温度(℃):pdip-14/-55~125描述:四异或门价格/1片(套):￥.90

台积电将在5月开始在原型验证方面采用55纳米工艺，初期计划每两个月提供一次。台积电表示，55纳米制程比其包括I/O和模拟电路的成熟的65纳米技术线性缩小了90%，从而将“比65纳米制程大幅节省成本，同时提供相同的速度，并把功耗降低10～20%。”在第一阶段，55纳米逻辑系统将在台积电所谓的“虛拟特快车”(CyberShuttle)项目中提供，包括通用(GP)和消费(GC)平台。55GP将于5月开始初步生产，随后在今年稍晚的时候生产55GC。