台积电将在5月开始在原型验证方面采用55纳米工艺，初期计划每两个月提供一次。台积电表示，55纳米制程比其包括I/O和模拟电路的成熟的65纳米技术线性缩小了90%，从而将“比65纳米制程大幅节省成本，同时提供相同的速度，并把功耗降低10～20%。”在第一阶段，55纳米逻辑系统将在台积电所谓的“虛拟特快车”(CyberShuttle)项目中提供，包括通用(GP)和消费(GC)平台。55GP将于5月开始初步生产，随后在今年稍晚的时候生产55GC。

台湾地区最大的晶圆代工厂商台积电近日宣布，将在5月开始在原型验证方面采用55纳米工艺，初期计划每两个月提供一次。台积电表示，55纳米制程比其包括I/O和模拟电路的成熟的65纳米技术线性缩小了90%，从而将比65纳米制程大幅节省成本，同时提供相同的速度，并把功耗降低10-20%。在第一阶段，55纳米逻辑系统将在台积电所谓的“虛拟特快车”(CyberShuttle)项目中提供，包括通用(GP)和消费(GC)平台。55GP将于5月开始初步生产，随后在今

台湾地区最大的晶圆代工厂商台积电将在5月开始在原型验证方面采用55纳米工艺，初期计划每两个月提供一次。台积电表示，55纳米制程比其包括I/O和模拟电路的成熟的65纳米技术线性缩小了90%，从而将“比65纳米制程大幅节省成本，同时提供相同的速度，并把功耗降低10～20%。”在第一阶段，55纳米逻辑系统将在台积电所谓的“虛拟特快车”(CyberShuttle)项目中提供，包括通用(GP)和消费(GC)平台。55GP将于5月开始初步生产，随后在今年

【用　途】 微波电路 【性能 参数】功率分配合成器,频率范围=55～90MHz,相位=90度,阻抗=50Ω,隔离度=20dB,插入损耗=1dB,相位偏置=5度,

据Digitimes网站报道，晶圆代工大厂台积电27日正式宣布，55纳米半世代工艺提前约一个季度进入量产，从2007年5月起，每隔2个月开启55纳米工艺CyberShuttle服务，提供多家客户量产服务台积电表示，此一制程由65纳米制程直接微缩90％，包括I/O及逻辑电路等，为客户提供成本显著降低的竞争优势，同时在相同运作速度下能够节省耗电量达10％至20％。客户仅需微调现有的65纳米工艺技术

产品型号:NTTD4401FR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):3.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):SC-70/-55 ~150描述:-20 V, -3.3 A双功率MOSFET价格/1片(套):￥3.30欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan

烧结稀土钴永磁材料是继铁氧体永磁材料之后于20世纪60年代中期兴起的磁性能优异的永磁材料，国内其工艺技术成熟于20世纪90年代后期，生产规模化于20世纪90年代中期。1:5型烧结稀土钴永磁材料种类很多，如：SmCo5、PrCo5、MMCo5、(Sm,MM)Co5、Ce(CoCuFe)5、SmPrCo5和(Sm1-XHREX)Co5等，目前普遍生产的种类是SmCo5、

产品型号:NTGS3441T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):2.350通道极性:P沟道封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150描述:1 A, 20 V功率MOSFET价格/1片(套):￥1.90欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan

产品型号:NTTS2P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):3.250通道极性:P沟道封装/温度(℃):Micro8/-55 ~150描述:-2.4 A, -20 V 双功率MOSFET价格/1片(套):￥3.00欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan

产品型号:mmbv809lt1g最小反向电压vr(v):20最大二极管电容ct@v(max)( pf):6.100最大二极管电容ct@vv:2正向电压vf最大值(v):－最大反向漏电流ir (max)(na):50最大反向漏电流ir对应的电压vr(v):20类型:单压变电容二极管封装/温度(℃):3sot-23/-55~125价格/1片(套):￥.90