【用　途】 微波电路 【性能 参数】功率分配合成器,频率范围=55～90MHz,相位=90度,阻抗=50Ω,隔离度=20dB,插入损耗=1dB,相位偏置=5度,

产品型号:mmsz4v3t1g齐纳击穿电压vz最小值(v):4.090齐纳击穿电压vz典型值(v):4.300齐纳击穿电压vz最大值(v):4.520@izt(ma):5齐纳阻抗zzt(ω):90最大功率pmax(w):0.500芯片标识:u2封装/温度(℃):sod123/-55~150价格/1片(套):￥.40

产品型号:mmsz22t1g齐纳击穿电压vz最小值(v):20.900齐纳击穿电压vz典型值(v):22齐纳击穿电压vz最大值(v):23.100@izt(ma):5齐纳阻抗zzt(ω):55最大功率pmax

台积电将在5月开始在原型验证方面采用55纳米工艺，初期计划每两个月提供一次。台积电表示，55纳米制程比其包括I/O和模拟电路的成熟的65纳米技术线性缩小了90%，从而将“比65纳米制程大幅节省成本，同时提供相同的速度，并把功耗降低10～20%。”在第一阶段，55纳米逻辑系统将在台积电所谓的“虛拟特快车”(CyberShuttle)项目中提供，包括通用(GP)和消费(GC)平台。55GP将于5月开始初步生产，随后在今年稍晚的时候生产55GC。

产品型号:cd4070be封装/温度(℃):pdip-14/-55~125描述:四异或门价格/1片(套):￥.90

;;; LG1、LG2型固定电感器采用高质量磁心绕制，用环氧树脂包封，803PA20 ;;具有体积小、重量轻等特点可降低损耗，提高Q值，可使用的环境温度范围为- 55℃~+85℃，广泛应用于电视机、收音机以及电子仪器仪表中它们的外形如图5-22所示，主要特性参数见表5-3。;;;;;;;;;;;;;;;;;; ;;;;;;;;; ;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;

台湾地区最大的晶圆代工厂商台积电近日宣布，将在5月开始在原型验证方面采用55纳米工艺，初期计划每两个月提供一次。台积电表示，55纳米制程比其包括I/O和模拟电路的成熟的65纳米技术线性缩小了90%，从而将比65纳米制程大幅节省成本，同时提供相同的速度，并把功耗降低10-20%。在第一阶段，55纳米逻辑系统将在台积电所谓的“虛拟特快车”(CyberShuttle)项目中提供，包括通用(GP)和消费(GC)平台。55GP将于5月开始初步生产，随后在今

台湾地区最大的晶圆代工厂商台积电将在5月开始在原型验证方面采用55纳米工艺，初期计划每两个月提供一次。台积电表示，55纳米制程比其包括I/O和模拟电路的成熟的65纳米技术线性缩小了90%，从而将“比65纳米制程大幅节省成本，同时提供相同的速度，并把功耗降低10～20%。”在第一阶段，55纳米逻辑系统将在台积电所谓的“虛拟特快车”(CyberShuttle)项目中提供，包括通用(GP)和消费(GC)平台。55GP将于5月开始初步生产，随后在今年

产品型号:THS4211D工作电压±15(V):－工作电压±5(V):Yes工作电压5(V):Yes最小稳定增益(V/V):1000带宽@Acl(MHz):970转换速率(V/us):55设置时间(0.01%)(典型值)(ns):－输出电流I (典型值)(mA):200总谐波失真THD(Fc=1MHz)(典型值)(dB):-90差动增益(%):0.010差动相位(deg):0噪声电压(典型值):7