产品型号:NTP90N02G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5.800最大漏极电流Id(on)(A):90通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220/-55~150描述:90 A, 24 V功率MOSFET价格/1片(套):￥6.60欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan

产品型号:NTB90N02源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5最大漏极电流Id(on)(A):90通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~150描述

1月24日上午消息，华为今日在京召开5G发布会。华为发布业内首款面向5G基站的核心芯片“天罡”，这款芯片的尺寸缩小55%，重量减小23%，支持超宽频谱，可以支持200兆频宽，可以让全球90%的站...

【用　途】 微波电路 【性能 参数】功率分配合成器,频率范围=55～90MHz,相位=90度,阻抗=50Ω,隔离度=20dB,插入损耗=1dB,相位偏置=5度,

(V):29IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):24最大反向漏电流IR(uA):1最大反向电压(钳位电压)VC(V):55最大反向浪涌电流Ipp(A):5典型电容（pF）@0V:5保护线数:一线封装/温度(℃):SOT-23/-55~150价格/1片(套):￥1.

(V):29IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):24最大反向漏电流IR(uA):1最大反向电压(钳位电压)VC(V):55最大反向浪涌电流Ipp(A):5典型电容（pF）@0V:5保护线数:一线封装/温度(℃):SOT-23/-55~150价格/1片(套):￥1.

(v):29it(ma):1峰值反向工作电压vrwm(v):24最大反向漏电流ir(ua):1最大反向电压(钳位电压)vc(v):55最大反向浪涌电流ipp(a):5典型电容（pf）@0v:5保护线数:一线封装/温度(℃):sot-23/-55~150价格/1片(套):￥1.

(v):29it(ma):1峰值反向工作电压vrwm(v):24最大反向漏电流ir(ua):1最大反向电压(钳位电压)vc(v):55最大反向浪涌电流ipp(a):5典型电容（pf）@0v:5保护线数:一线封装/温度(℃):sot-23/-55~150价格/1片(套):￥1.

产品型号:NTP90N02源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):7.5@4.5V最大漏极电流Id(on)(A):90通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220AB/-55~150描述:3.1A/-2.1A,20V N沟道和P沟道功率MOSFET价格/1片(套):￥8.00欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan

产品型号:NTD95N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5最大漏极电流Id(on)(A):95通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55~150描述:95A, 24 V,功率MOSFET价格/1片(套):￥5.60欢迎来一步电子网 查看更多精彩信息 请登录 www.kuyibu.com/botan