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STB155N3LH6
分享到：
N沟道30 V、0.0024 Ohm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，D2PAK封装
STB155N3LH6产品信息：
描述
这些器件是使用第6代ripFET DeepGATE 技术开发的n通道功率mosfet，具有新的栅极结构。由此产生的功率mosfet在所有封装中显示出低RDS(on)。
所有功能
100%雪崩Ed
逻辑电平驱动
STB155N3LH6数据手册：
stb155n3lh6.pdf
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