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STB30NF20L
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N沟道200 V、0.065 Ohm、30 A、D2PAK STripFET(TM)功率MOSFET
STB30NF20L产品信息：
描述
这种n通道增强模式功率MOSFET受益于微电子独特的“单一特征尺寸”基于ripf工艺的后期改进，这降低了关键的校准eps，提供了卓越的制造再现性。其结果是具有极高的堆积密度的晶体管，具有低通阻、崎岖的雪崩特性和低栅电荷。
所有功能
AEC-Q101合格
门费用最小化
100%雪崩Ed
优秀的FoM(功绩数字)
极低本征电容
STB30NF20L数据手册：
stb30nf20l.pdf
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