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STD10P10F6
分享到：
P沟道100 V、0.136 Ohm典型值、10 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
STD10P10F6产品信息：
描述
该器件是一种p通道功率MOSFET，使用ripFET F6技术开发的一种新的沟槽栅极结构。由此产生的功率MOSFET显示出非常低的R (DS(on))。
所有功能
极低的导通电阻
极低的门电荷
雪崩强度高
低门控驱动功率损耗
STD10P10F6数据手册：
std10p10f6.pdf
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