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STD120N4LF6
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N沟道40 V、3.1 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装
STD120N4LF6产品信息：
描述
该产品是一个40 V n通道ripFET VI功率MOSFET基于专有的ripFET 技术，具有新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中显示出lowe RDS(on)。
所有功能
逻辑电平驱动
100%雪崩Ed
STD120N4LF6数据手册：
std120n4lf6.pdf
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