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STD150N3LLH6

N沟道30 V、0.0024 Ohm、80 A功率MOSFET,DPAK封装

STD150N3LLH6产品信息:

描述

该产品采用’公司专有的ripFET 技术的第六代设计规则,具有新的闸门结构。由此产生的功率MOSFET显示出lowe R (DS(on))。
  • 所有功能

    • R(DS(on)) * Q(g)行业基准
    • 雪崩强度高
    • 极低导通电阻R(DS(on))
    • 低门极驱动功耗

STD150N3LLH6数据手册:

意法推出;STL150N3LLH6和STD150N3LLH6

;意法半导体(st)推出全新系列的30v表面贴装功率晶体管,导通电阻仅为2毫欧(最大值),新产品可提高计算机、电信设备和网络设备的能效。采用意法半导体最新的stripfet vi deepgate制造工艺,单元密度提高,以有效芯片尺寸对比,新产品实现业内最佳的导通电阻rds(on),比上一代产品改进大约20个百分点,开关稳压器和直流-直流转换器内因此可以使用小尺寸的贴装功率封装。这项技术还得益于本

相关型号:

SS4400ZX SS400X SA10QA06 SA10QA04 SA10QA03
SQ25-1950D6SUA1 SQ25-1745K6SUA2 SQ25-1745K6SUA1 SD16-0782R8UUB1 SD25-0780R9UUA1
SD25-1962R9UUA1 SD25-2155R9UUA1 SD25-0942R9UUA1 SD25-2655R9UUA1 SD25-1842R9UUA1
SD25-2140R9UUA1 SD18-0782T8UUA1 SD16-0782R8UUA1 SD16-0847R8UUA1 SD16-2535R8UUA1
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