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STD26P3LLH6
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P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、12 A STripFET(TM) VI DeepGATE功率MOSFET，DPAK封装
STD26P3LLH6产品信息：
描述
该器件是一种p通道功率MOSFET利用6 (第一代)ripFET DeepGATE 技术，具有新的门结构。由此产生的功率MOSFET显示出lowe R 在所有包(DS )
所有功能
R(DS(on))* Q(g)行业基准
极低导通电阻R(DS(on))
雪崩强度高
低栅极输入电阻
STD26P3LLH6数据手册：
std26p3llh6.pdf
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