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STD5N20L
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N沟道200 V、0.65 Ohm、5 A STripFET(TM) 功率MOSFET，DPAK封装
STD5N20L产品信息：
描述
D5N20L采用了最新的先进设计规则的专有ripFET 技术。这是适用于mo要求直流电机控制和照明应用。
所有功能
典型R(DS)(on) = 0.65欧姆 @ 5V
低投入CAPACIATNCE
传导损失减少
低阈值的设备
STD5N20L数据手册：
std5n20l.pdf
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