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STD65N55F3
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汽车级N沟道55 V、6.5 毫欧典型值、80 A STripFET F3功率MOSFET，DPAK封装
STD65N55F3产品信息：
描述
这种n通道增强模式功率MOSFET是微电子学独特的“单特征尺寸 ”基于rip的工艺的最新改进，它降低了关键的校准eps，提供了卓越的制造再现性。其结果是具有极低电阻、崎岖雪崩特性和低栅电荷的极高堆积密度的晶体管。
所有功能
andard阈值驱动
100%雪崩Ed
STD65N55F3数据手册：
std65n55f3.pdf
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