描述
DRIVE601是采用BCD6s离线技术制造的高压器件。它是一种带有三重半桥栅极驱动器的单晶片，面向N沟道功率MOSFET或IGBT（适合于三相应用）。 所有器件输出可以分别提供350 mA的灌电流和200 mA的拉电流。互锁和死区功能可防止交叉传导。
该器件有专门的输入引脚（对应每个输出）和关断引脚。逻辑输入兼容CMOS/TTL（可低至3.3 V），易于与控制器件连接。低侧和高侧之间的匹配时延保证脉冲不失真，允许高频操作。
DRIVE601内嵌的比较器集成了先进的SmartSD功能，确保快速有效地防止过流、超温等故障发生。
在低侧和每个高侧驱动部分有专门的UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。
集成式自举二极管和该IC的所有集成特性使应用PCB设计更轻松、紧凑和简单，从而降低了整体物料成本。
该器件采用SO-28封装。
