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STF19NF20
分享到：
N沟道200 V、0.11 Ohm典型值、11 A MESH OVERLAY功率MOSFET，TO-220FP封装
STF19NF20产品信息：
描述
这些功率mosfet是使用微电子的整合rip-layout-based MESH OVERLAY 工艺设计的。其结果是产品的性能与其他制造商的可比标准件相匹配或提高。
所有功能
极高的dv/dt能力
门费用最小化
极低本征电容
STF19NF20数据手册：
stf19nf20.pdf
相关型号：
SS4400ZX
SS400X
SA10QA06
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