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STF45N10F7
分享到：
N沟道100 V、0.0145 Ohm典型值、30 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220FP封装
STF45N10F7产品信息：
描述
该器件使用 专有的 ripFET 技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的R (DS(on))。
所有功能
超低导通电阻
经过100％雪崩测试
STF45N10F7数据手册：
stf45n10f7.pdf
相关型号：
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