STF7NM60N 数据手册-pdf中文资料-产品介绍及应用电路

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STF7NM60N

N沟道600 V、0.8 Ohm典型值、5 A MDmesh II功率MOSFET，TO-220FP封装

这些器件是使用第二代MDmesh 技术开发的n通道功率mosfet。这些革命性的功率mosfet将垂直结构与公司的撕裂布局联系起来，从而产生了世界上最低的电阻和栅极电荷之一。因此，它们适用于要求mo的高效变流器。

进行可靠性设计改进后所取得的效果: ;;; 某单位通过进行可靠性设计改进和STF7NM60N一系列可靠性工作，取得了明显的效果，主要体现在以下方面：;;; ①用户的返退率明显降低（从可靠性设计改进前的4. 9%左右下降到可靠性设计改进后的

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