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STFW3N150
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N沟道1500 V、6 Ohm典型值、2.5 A PowerMESH(TM) 功率MOSFET，TO-3PF封装
STFW3N150产品信息：
描述
这些功率mosfet设计使用微电子统一的rip-layout-based MESH OVERLAY过程。其结果是产品的性能与其他制造商的可比标准件相匹配或提高。
所有功能
100%雪崩Ed
本征电容和Qg最小化
高速开关
全隔离TO-3PF芯片封装，漏电距离为5.4 mm(典型)。
STFW3N150数据手册：
stfw3n150.pdf
电饭锅功率调控电路
电路中主加
STFW3N150
热丝RL．的功率为lkW，副加热丝RL2的功率为250W，若R L1和RL2相串联，则加热功率为200W左右。
相关型号：
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