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STFW3N170
分享到：
N沟道1700 V、7 Ohm典型值、2.6 A PowerMESH功率MOSFET，TO-3PF封装
STFW3N170产品信息：
描述
该功率MOSFET采用基于微电子整合rip-layout的MESH OVERLAY 工艺设计。其结果是产品的性能与其他制造商的可比标准件相匹配或提高。
所有功能
本征电容和Q(g)最小化
TO-3PF用于更高的导线之间漏电
高速开关
100%雪崩Ed
STFW3N170数据手册：
stfw3n170.pdf
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