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STFW4N150
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N沟道1500 V、5 Ohm、4 A PowerMESH(TM) 功率MOSFET，TO-3PF封装
STFW4N150产品信息：
描述
利用良好巩固的高压MESH OVERLAY 工艺，微电子公司设计了一个非常高电压功率mosfet的先进家庭，无和性能。加强的布局加上公司的专有边缘终止结构，给出了lowe R (DS(on))每个区域，无与伦比的栅极电荷和开关特性。
所有功能
100%雪崩Ed
高速开关
本征电容和Qg最小化
TO-3PF漏电路径为5.4 mm(典型)
完全隔离的TO-3PF封装
STFW4N150数据手册：
stfw4n150.pdf
相关型号：
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