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STG200M65F2D8AG

汽车级650 V、200 A沟槽栅场截止M系列IGBT晶片，D8封装

STG200M65F2D8AG产品信息：

描述

该器件是一种IGBT，采用先进的专有沟栅场运算结构。该器件是M系列igbt的一部分，代表了逆变器系统性能和效率之间的最佳平衡，其中低损耗和短路功能是必不可少的。此外，正的V (CE(sat))温度系数和紧凑的参数分布，使并联运行更加安全。

  • 所有功能

    • AEC-Q101合格
    • 低损耗系列IGBT
    • 在I(C) = 200 A时，低电压(CE(sat)) = 1.55 V(典型电压)
    • 正V(CE(sat))温度系数
    • 参数分布紧密
    • 最大结温:T(J) = 175°C
    • T(J) = 150°C时，6µs最小短路时间

STG200M65F2D8AG数据手册：

相关型号：

SS4400ZX SS400X SA10QA06 SA10QA04 SA10QA03
SQ25-1950D6SUA1 SQ25-1745K6SUA2 SQ25-1745K6SUA1 SD16-0782R8UUB1 SD25-0780R9UUA1
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