描述

这些器件是igbt，使用一种先进的专有沟栅场运算结构开发的。这些器件是H系列igbt的一部分，代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以最大限度地提高高开关频率转换器的效率。另外，稍微正一点的V (CE(sat))温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联运行。