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STGB8NC60KD
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最新短路保护“K”系列
STGB8NC60KD产品信息:
描述
这种IGBT采用了先进的PowerMESH 工艺,从而在切换性能和低on- ate行为之间实现了良好的权衡。
所有功能
低压降(V(CE(sat)))
非常柔软的超fa恢复反并联二极管
低C(RES) / C(IES)比(无交叉传导磁化率)
短路与时间10µs
STGB8NC60KD数据手册:
stgb8nc60kd.pdf
相关型号:
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