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STGF10NB60SD
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16 A、600 V低压降IGBT，带柔软、恢复速度极快的二极管
STGF10NB60SD产品信息：
描述
这种IGBT采用了先进的Power MESH 工艺，在低频工作条件下具有极低的通断电压降(最高可达1 kHz)。
所有功能
低通压降(V(CE(sat))
大电流的能力
非常柔软的超fa恢复反并联二极管
STGF10NB60SD数据手册：
stgf10nb60sd.pdf
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