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STGF4M65DF2

650 V、4 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

STGF4M65DF2产品信息：

描述

该器件是一种IGBT，采用先进的专有沟栅场运算结构。该器件是M系列igbt的一部分，代表了逆变器系统性能和效率之间的最佳平衡，低损耗和短路功能是必不可少的。此外，正的V (CE(sat))温度系数和紧凑的参数分配，使并联运行更安全。

  • 所有功能

    • 6 μ s短路与时间
    • V(CE(sat)) = 1.6 V(typ.) @ I(C) = 4
    • 参数分布紧密
    • 更安全的并联
    • 低耐热性
    • 软和非常fa恢复反并联二极管

STGF4M65DF2数据手册：

相关型号：

SS4400ZX SS400X SA10QA06 SA10QA04 SA10QA03
SQ25-1950D6SUA1 SQ25-1745K6SUA2 SQ25-1745K6SUA1 SD16-0782R8UUB1 SD25-0780R9UUA1
SD25-1962R9UUA1 SD25-2155R9UUA1 SD25-0942R9UUA1 SD25-2655R9UUA1 SD25-1842R9UUA1
SD25-2140R9UUA1 SD18-0782T8UUA1 SD16-0782R8UUA1 SD16-0847R8UUA1 SD16-2535R8UUA1
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