描述

最新的IGBT 650 V HB2系列代表了先进的专有沟槽栅场截止结构的发展。凭借低电流值下具有更好的VCE (CE(sat))表现和开关能量的降低，使HB2系列的传导性能得到了优化。极快软恢复二极管与IGBT反并联封装在一起。从而实现了专门设计用于最大化各种快速应用效率的产品。