描述

新的IGBT 650v HB2系列代表了先进的专有沟栅场运算结构的演变。HB2系列的性能在传导方面进行了优化，由于更好的V (CE(sat))在低电流值下的行为，以及在降低开关能量方面。仅用于保护目的的二极管与IGBT共封装为反并行。其结果是一个产品专门设计，以最大限度地提高效率，以广泛的fa应用。