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STGWA80H65DFB

650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

STGWA80H65DFB产品信息：

描述

该器件是一种IGBT，采用先进的专有沟栅场运算结构。该器件是新的HB系列igbt的一部分，它代表了传导和开关损耗之间的最佳折衷，以最大限度地提高任何变频器的效率。此外，稍微正的V (CE(sat))温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联运行。

  • 所有功能

    • 最大结温:T(J) = 175°C
    • 高速开关系列
    • 最小化尾电流
    • 低饱和电压:V(CE(sat)) = 1.6 V(typ.) @ I(C) = 80 A
    • 参数分布紧密
    • 安全的并联
    • 正V(CE(sat))温度系数
    • 低耐热性
    • 非常fa软恢复反并联二极管

STGWA80H65DFB数据手册：

相关型号：

SS4400ZX SS400X SA10QA06 SA10QA04 SA10QA03
SQ25-1950D6SUA1 SQ25-1745K6SUA2 SQ25-1745K6SUA1 SD16-0782R8UUB1 SD25-0780R9UUA1
SD25-1962R9UUA1 SD25-2155R9UUA1 SD25-0942R9UUA1 SD25-2655R9UUA1 SD25-1842R9UUA1
SD25-2140R9UUA1 SD18-0782T8UUA1 SD16-0782R8UUA1 SD16-0847R8UUA1 SD16-2535R8UUA1
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