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STH175N4F6-6AG
分享到：
汽车级N沟道40 V、1.9 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET，H2PAK-6封装
STH175N4F6-6AG产品信息：
描述
这些器件是使用ripFET F6技术开发的n通道功率mosfet，具有新的沟槽栅极结构。由此产生的功率mosfet表现出非常低的R 在所有包(DS )。
所有功能
设计用于汽车应用和AEC-Q101合格
极低的导通电阻
极低的门电荷
雪崩强度高
低门控驱动功率损耗
STH175N4F6-6AG数据手册：
sth175n4f6-6ag.pdf
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