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STH315N10F7-2

汽车级N沟道100 V、2.1 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装

STH315N10F7-2产品信息:

描述

该N-沟道功率MOSFETs利用 ripFET F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
  • 所有功能

    • 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证
    • 处于市面上最低的R(DS(on))行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的 C(rss)/C(iss)比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力

STH315N10F7-2数据手册:

STH315N10F7参考设计电路|功率 MOSFET应用电路

STH315N10F7功率MOSFET是AEC-Q101汽车级N沟道功率MOSFET,它具有同类最佳的导通状态电阻以及很低的内部电容和栅极电荷,从而提高了传导和开关效率。此篇主要介绍了STH315N10F7特性、应用范围、参考设计电路以及电路分析,帮助大家缩短设计时间。STH315N10F7特性:被设计用于汽车应用,符合AEC-Q101标准要求;超低导通电阻;100%经雪崩测试STH315N10F

GFH-2-2

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DS1631-2-2-4-3631-2-3-4

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2

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SK-2

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LTC4012-2

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LTC2954-2

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TDA16847-2

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HZ15 2

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