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STH410N4F7-2AG
分享到：
汽车级N沟道40 V、0.8 mOhm典型值、200 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-2封装
STH410N4F7-2AG产品信息：
描述
该N-沟道功率MOSFET利用 ripFET F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
所有功能
专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证
处于市面上最低的R(DS(on))行列
出色的品质因数（FoM）
较低的 C(rss)/C(iss) 比值使得其具有更强的抗EMI能力
坚固的抗雪崩能力
STH410N4F7-2AG数据手册：
sth410n4f7-2ag.pdf
相关型号：
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