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STH80N10LF7-2AG
分享到：
N沟道100 V、0.008 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-2封装
STH80N10LF7-2AG产品信息：
描述
这种n通道功率MOSFET利用ripFET F7技术，具有增强的沟槽栅极结构，导致极低的on- ate电阻，同时也降低了fa的内部电容和栅极电荷和更有效的开关。
所有功能
AEC-Q101合格
在市场上的lowe R(DS)中
优秀的FoM(功绩数字)
电磁干扰免疫的低C(rss)/C(iss)比率
雪崩强度高
STH80N10LF7-2AG数据手册：
sth80n10lf7-2ag.pdf
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