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STI150N10F7
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N沟道100 V、0.0036 Ohm典型值、110 A STripFET F7功率MOSFET，I2PAK封装
STI150N10F7产品信息：
描述
该N-沟道功率MOSFETs利用 ripFET F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
所有功能
处于市面上最低的 R(DS(on))行列
出色的品质因数（FoM）
较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
坚固的抗雪崩能力
STI150N10F7数据手册：
sti150n10f7.pdf
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